SiC芯片及器件:
SBD芯片及器件
简介:
具有正温度系数、耐高压、高浪涌能力、高电流密度,低比导通电阻等特点。
产品参数:
应用:
光伏、轨交、电网等。
MOSFET芯片及器件
车规级SiC MOSFET芯片,具有高电流密度,低比导通电阻 ,高工作频率等特点,适用于新能源汽车、充电桩领域;高压SiC MOSFET芯片,芯片内置栅电阻,具有低开关损耗,高工作频率的特点,适用于轨道交通、电网领域。
高压MOSFET用于轨交、电网。
车规级MOSFET用于新能源汽车、充电桩。
SiC模块
采用中车第二代SiC芯片,具有正温度系数,高浪涌能力等特点。
轨交、电网、新能源汽车、充电桩。