SiC芯片及器件:
SiC SBD芯片及器件
简介：
产品参数：
| 反向重复峰值电压（V） |
1200-3300 |
| 正向电流（A） |
10-50 |
| 运行结温（℃） |
-40-150 |
应用：
轨交、电网、光伏等。
SiC MOSFET芯片
简介：
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中车第4代中低压SiC MOSFET芯片，为沟槽栅结构，采用窄线宽技术，栅氧电场屏蔽技术，内置栅极电阻。芯片具有低比导通电阻，高开关频率，高可靠性，高鲁棒性等特点；
-
中车第3.5代中低压SiC MOSFET芯片，为精细平面栅结构，采用高可靠性栅氧技术，短沟道技术，内置栅极电阻。芯片具有低温度系数，高开关频率，低开关损耗等特点；
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中车第2代高压SiC MOSFET芯片,采用平面栅结构,高耐压终端技术,芯片内置栅电阻;芯片具有低开关损耗,高工作频率的特点。
产品参数：
| 击穿电压（V） |
750-3300 |
| 正向电流（A） |
30-175 |
| 运行结温（℃） |
-40-175 |
应用：
高压SiC MOSFET芯片适用于轨交领域。
中低压SiC MOSFET适用于新能源汽车、充电桩、OBC等领域。
SiC器件和模块
简介：
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中车SiC模块采用中车第3.5代精细平面栅SiC MOSFET,具有低开关损耗,高工作结温,低导通电阻等特点,配合银烧结、铜线键合等先进互连封装工艺,产品具备足够的鲁棒性。涵盖750V至3300V电压范围,适用于电动汽车及轨道交通领域。
产品参数：
| 额定电压（V） |
750-3300 |
| 额定电流（A） |
40-1000 |
| 工作结温（℃） |
150-200 |
应用：
轨交、电网、新能源汽车主驱、OBC、充电桩。