SiC芯片及器件:

SBD芯片及器件

简介：

• 具有正温度系数、耐高压、高浪涌能力、高电流密度，低比导通电阻等特点。

产品参数：

应用：

光伏、轨交、电网等。

MOSFET芯片及器件

简介：

• 车规级SiC MOSFET芯片，具有高电流密度，低比导通电阻 ，高工作频率等特点，适用于新能源汽车、充电桩领域；高压SiC MOSFET芯片，芯片内置栅电阻，具有低开关损耗，高工作频率的特点，适用于轨道交通、电网领域。

产品参数：

应用：

高压MOSFET用于轨交、电网。

车规级MOSFET用于新能源汽车、充电桩。

SiC模块

简介：

• 采用中车第二代SiC芯片，具有正温度系数，高浪涌能力等特点。

产品参数：

应用：

轨交、电网、新能源汽车、充电桩。