针对功率半导体的原始创新不足和体系化不强，聚焦高性能高密度集成的新结构器件和SiC、GaN等宽禁带功率半导体及集成技术，增强两大研究方向“新型功率芯片与特色工艺、先进封装架构与智能集成”的原创能力。重点攻关底层器件机理、新型材料、先进工艺、智能集成等关键支撑技术。融合先进集成电路制造和宽禁带半导体材料优势，加速推动功率芯片低损耗高频化、功率器件智能集成化发展。五年内，全面实现我国功率半导体技术“从弱到强”的提升；十年内，全面实现我国功率半导体器件从“应用大国”到“创新强国”的转变。