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公司功率半导体研发中心大楼落成剪彩

发布时间:2012-08-02 来源: 浏览次数:2700 视力保护色:
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7月25日下午,英国林肯当地风和日丽、阳光灿烂,历经一年建设的功率半导体研发中心大楼落成并举行隆重的竣工启用仪式,中国南车总裁郑昌泓亲临现场,与公司董事长丁荣军共同为研发中心大楼剪彩。

功率半导体研发中心是公司与丹尼克斯共同出资在2010年5月成立的。两年来,在技术研究、产品开发与人才培养等方面取得了快速发展,面向全球吸纳高端人才,广泛开展国际技术合作,整合相关技术资源,已经形成了一个国际化、专业化的功率半导体技术研发团队,正在开展新一代IGBT、新一代HVDC晶闸管和碳化硅技术的研究开发工作,力争以高竞争力的技术、产品与服务满足轨道交通、智能电网、电动汽车、新能源、工业变流等战略性新兴产业领域的应用需要,同时为株洲正在建设的国内最先进的8英寸IGBT芯片生产线提供强有力的技术支持,以建设世界级功率半导体技术创新中心为目标,不断加强技术研发水平,加快开发先进制造工艺,不断实现技术突破与跨越,快速形成产品和市场核心竞争力,全面支撑功率半导体产业的快速、可持续发展。