5月23日，国家工业和信息化部党组成员、副部长杨学山到中国南车株洲所（以下简称株洲所）就半导体器件产业发展情况进行专题调研。
杨学山一行参观考察了株洲所陈列室、南车时代电气制造中心、6英寸晶闸管生产线、大功率IGBT产业化建设基地，听取了株洲所关于半导体器件产业发展情况的汇报。杨学山高度肯定株洲所近年来在调整产品结构、加速产业转型和壮大民族工业上取得的显著成绩，尤其对株洲所在世界强手林立、我国基础薄弱的情况下实现了IGBT产业跨越发展表示赞赏，并勉励株洲所继续加强科技创新，勇攀巅峰。
湖南省副省长黄兰香，工信部电子信息司司长丁文武，株洲市委副书记、市长毛腾飞等陪同调研。
参观过程中，株洲所执行董事兼总经理丁荣军向杨学山一行全面介绍了株洲所的历史沿革、产业板块、人才状况及“十二五”期间的发展战略。丁荣军介绍，株洲所多年来立足轨道交通牵引传动与网络控制等核心技术的攻坚，为推动我国轨道交通装备业发展积极贡献力量。同时依托核心技术先后进军风力发电、电动汽车、光伏发电等领域，也取得了不错的成绩，多元化产业的良好发展态势推动了企业持续稳定健康的发展。
调研座谈会上，丁荣军重点介绍了株洲所大功率半导体产业的发展现状与规划。株洲所在该领域深耕50年，初步形成了国际化的产业布局，同时具备大功率晶闸管、IGBT、IGCT、SiC器件技术与产业化平台，拥有功率半导体芯片—器件—装置—系统的完整产业链，为推动国家重大战略实施做出积极贡献。丁荣军同时建议国家继续加大对该产业的国家政策引导与支持力度，将功率半导体技术纳入强国战略纲要和国家重大科技专项，将支持重点聚集到高性能IGBT和SiC器件等国际竞争激烈、引导未来发展的高端领域，并加强产业培育力度，支持优势企业带动、产业配套建设加强，形成产业联盟，推动产业全面发展。
听取汇报后，杨学山说，在世界强手面前，株洲所把国家利益放在首位，不断拓展技术领先优势，加快高新技术产业化，赢得了核心竞争力的大幅提升，扩大了产业规模和市场占有率，这一从追赶到并肩再到超越的过程，体现出企业的责任感与胸怀。杨学山要求，株洲所要抓住契机，咬定青山不放松，在参与国际竞争中，加大核心技术的创新能力，在领域内走到顶端，不仅成为中国市场的领导者，甚至要抢占国际垄断地位。他表示，工信部将会在平台构建及企业配套发展上，加大对株洲所的支持，帮助企业解决实际问题。
黄兰香表示，IGBT代表着湖南工业最有价值的部分，湖南省政府将优先发展这类优势重点产业，在园区建设、项目落地上给予财政支持，为企业发展创造良好条件，促成其在规模及技术上早日进入世界领先行列。